JQ2010C智能延时控制芯片

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主要特性

1、   低功耗设计

全温度范围内芯片整体运行电流小于35uA,内建RC振荡器运行频率100KHz。

2、   高度集成设计

芯片内部集成模拟电路、数字电路、功率电路、电源、处理器、振荡器、存储器等、集成度很高。

3、   远距离通信

芯片可以适应0~2000m内的串行通信,通信稳定,可靠性高,提供戴载量表。

4、   组网能力强

芯片具有最多500个并联组网的能力。

5、   直流载波技术

芯片的通信信号调制在电源上,只需要连接两根线,且不分极性,即可实现并联组网。

6、   定时精度高

芯片内部延时电路延时精度0.25ms,定时范围为0-12000ms,具体延时精度取决于起爆器的校准精度,最高可达0.1%,测量仪器为秒量计。

7、   高抗ESD能力

所有引脚ESD不低于6KV,采用HBM模型,由第三方出具报告。

8、   工作电压范围宽

芯片可在5~30V范围内可靠工作,具体电压由起爆器设置。

9、   OTP特性

高可靠性内置32*8bitOTPROM,只允许编程1次,断电后数据保存时间不少于10年。其中UID占用8字节,密码4字节,延期时间2字节(暂时不用,保留,不能用作其他用途),芯片代码2字节(芯片成测时已经写入),可提供给用户的共4字节,其他部分系统占用,不可用。

10、环境适应性

芯片工作温度范围:-40~85℃,工作湿度范围:≦90%无凝露。

11、桥丝通断检测

桥丝通断为间接方式检测

12、通讯反馈电流

反馈电流取决于总线电压和母线电阻,最大反馈电流16mA


主要技术参数

名称
最小值
最大值
单位
备注
UID码长度
13
15

密码长度
4
8

存储器可擦写次数
/
1

组网能力
500
/

极限电压
-30
30
V

通信电压
5
24
V

充电电压
5
24
V

充电电压分辨率
0.5
1
V

工作电流
17
35
uA

延时精度
1
5

延时范围
0
12000
ms

抗静电指标ESD
6
/
KV

充电电流
/
2
mA

工作环境温度
-40
85

储存环境温度
-55
105

工作环境湿度
10
90
%
无凝露
储存环境湿度
0
95
%
无凝露




电气特性

芯片极限参数如下:

参数名称
最小值最大值
单位
总线电压
-30~30
V
静电放电电压
-6000~6000
V
储存温度
-65~150
焊接温度
300



工作参数

参数名称
最小值最大值
单位
供电电压
-24~24
V
LDO电压
4.7~5.4
V
充电电压
02~4.0
V
供电电流
20~35
uA
充电电流
0.1~2
mA
放电管内阻
0.1~0.3
Ω
工作温度
-40~85



包装规范

来料为编带包装,每盘5000pcs,每盘单独铝箔袋抽真空(干燥剂+湿度指示卡)包装,外包装为每盒两盘10000pcs,每箱5盒,共50000pcs。

外箱材料:采用S616S 优质牛卡纸   190G





型号
JQ2010C
封装
SOP8/DFN
包装
5000PCS/盘
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